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CMOS-IC

發(fā)布時(shí)間:2023-04-10 15:49:32

CMOS-IC

CMOS-IC相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)則

JEDEC最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

JEDEC最低標(biāo)準(zhǔn)是電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)(JEDEC)主持下制定的CMOS集成電路的最大額定范圍和靜態(tài)參數(shù)的最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。下表即為JEDEC制定的CMOS集成電路的最大額定范圍:

電源電壓:VDD~VSS18~-0.5V(DC)

直流輸入電流:IIN士10mA(DC)

輸入電壓:VIVSS≤VI≤VDD+0.5V(DC)

器件功耗:PD200mw

工作溫度范圍:T-55~125(陶封),-40~85(塑封)℃

存儲(chǔ)溫度范圍:TSTG-65~150℃

輸入/輸出信號(hào)規(guī)則

所有的CMOS電路的輸入端不能浮置,最好使用一個(gè)上拉或下拉電阻,以保護(hù)器件不受損害。

在某些應(yīng)用場(chǎng)合,輸入端要串入電阻,以限制流過(guò)保護(hù)二極管的電流不大于10mA。

輸入脈沖信號(hào)的上升和下降時(shí)間必須小于15us,否則必須經(jīng)施密特電路整形后方可輸入CMOS開(kāi)關(guān)電路。

避免CMOS電路直接驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管,否則可能導(dǎo)致CMOS電路的功耗超過(guò)規(guī)范值。

CMOS緩沖器或大電流驅(qū)動(dòng)器由于其本身的低輸出阻抗,必須注意這些電路采用大負(fù)載電容(≥500PF)時(shí)等效于輸出短路的情況。

CMOS電路的輸出不能并接成線邏輯狀態(tài)。因?yàn)閷?dǎo)通的PMOS管和導(dǎo)通的NMOS管的低輸出阻抗會(huì)將電源短路。

CMOS-IC集成電路的特佂

CMOS-IC主要封裝形式

雙列直插(DIP封裝)

扁平封裝(PLCC封裝)

CMOS-ICCMOS集成電路的性能特點(diǎn)

微功耗—CMOS電路的單門(mén)靜態(tài)功耗在毫微瓦(nw)數(shù)量級(jí)。

集成電路核心元

高噪聲容限—CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。

寬工作電壓范圍—CMOS電路的電源電壓一般為1.5~18伏。

高邏輯擺幅—CMOS電路輸出高、低電平的幅度達(dá)到全電為VDD,邏輯“0”為VSS。

高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大于108Ω,一般可達(dá)1010Ω。

高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大于50。

低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大于5PF。

寬工作溫度范圍—陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度范圍為

- 55℃~ 125 ℃;塑封的CMOS電路為 – 40 ℃ ~ 85 ℃。

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